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会员类型：
会员年限：7年
林小姐 
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林先生
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陈先生
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张小姐
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制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
封装 / 箱体:SOT-227-4
通道数量:1
Channel晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1000 V
Id-连续漏极电流:27 A
RdsOn-漏源导通电阻:320 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:6.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:225 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
Pd-功率耗散:690 W
通道模式:Enhancement
商标名:Polar, HiPerFET
封装:Tube
高度:12.22 mm
长度:38.23 mm
系列:IXFN32N100
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Polar Power MOSFET HiPerFET
宽度:25.42 mm
商标:IXYS
正向跨导 - 值:13 S
下降时间:43 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:55 ns
工厂包装数量:10
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:76 ns
典型接通延迟时间:50 ns
单位重量:30 g
MOS场效应管跟IGBT的区别：
MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOS场效应管/MOS场效应管
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